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如何在电浆蚀刻制程中控制晶圆的制程均匀度?|亚博APP安全有保障

亚博网赌信誉有保障 科技 2021年02月19日
本文摘要:为了更好地达成共识合格率与元器件效率市场的需求,掌操纵程特异性,得到 可不断的稳定結果是十分最重要的。伴随着技术性连接点的进度,及其设计方案标准的变化,业内务必更为苛刻的工艺操控。有很多要素不容易造成 特异性,全部的实例一般可归纳为:在晶体中、晶圆、晶圆到晶圆、及其腔体到腔体。 一般来说,晶圆基因变异不可以高过总体特异性的三分之一。 比如,在14奈米连接点,闸极重要规格(CD)的允许基因变异数值高过2.4奈米,在其中晶圆基因变异不可以允许大概0.84奈米。

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为了更好地达成共识合格率与元器件效率市场的需求,掌操纵程特异性,得到 可不断的稳定結果是十分最重要的。伴随着技术性连接点的进度,及其设计方案标准的变化,业内务必更为苛刻的工艺操控。有很多要素不容易造成 特异性,全部的实例一般可归纳为:在晶体中、晶圆、晶圆到晶圆、及其腔体到腔体。  一般来说,晶圆基因变异不可以高过总体特异性的三分之一。

比如,在14奈米连接点,闸极重要规格(CD)的允许基因变异数值高过2.4奈米,在其中晶圆基因变异不可以允许大概0.84奈米。在5奈米连接点,晶圆的允许基因变异值高过0.5奈米,这相当于2到3个矽晶原子的大小。

在文中中,大家将争辩怎样在电浆转印工艺中操控晶圆的工艺均匀度,此技术性在业内的演化,及其别的的最重要议案。  达成共识均匀度有可玩度转印腔体设计方案再作演变  在转印工艺中操控均匀度的关键挑戰,取决于电浆组成颗粒的复杂性。若要超出心寒的转印結果(即对各有不同随意选择比的塑料薄膜原材料历经转印后的构造模型),务必管理方法各有不同正离子与中子的占比(如Ar 、C4F8、C4F6 、O、O2 )。

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由于完全一致的电浆不容易造成二种种类颗粒,并且离子对中子的较为总数是密切相关的。因而,主要参数的危害一般来说不容易被用于操控电浆,如电浆供货源输出功率和转印腔体工作压力,其也是相互涉及到的。  自打单晶圆工艺于1980时代前期刚开始用以至今,转印腔体被设计方案用于在晶圆的每一个方向上造成相仿的电浆标准,以超出分布均匀的工艺結果。

可是由于晶圆边沿(图1)不容易有原有的电气设备与有机化学不连续性,不容易危害晶圆的均匀度,因而不容易使此总体目标的达成共识特别是在艰辛。因为从偏压面到短路故障或飘浮面的变化,因此导致了工作电压梯度方向在晶圆边沿造成。  图1 晶圆边沿的不连续性不容易造成梯度方向,危害了晶圆表层的均匀度,并不会在晶圆边沿处造成 全局性危害。

  这不容易使电浆鞘层(plasmasheath)在晶圆边沿处歪斜,而变化了正离子相对性于晶圆的撞击运动轨迹。潜在性的有机化学不连续性也是某种意义的状况,不容易使各有不同的化学物质在晶圆上造成浓度梯度。

此梯度方向是由多种多样状况造成 的,还包含生成物耗费的特异性、及其管理中心相对性于边沿的副产物有机废气亲率,及其转印腔体和晶圆的溫度差别,不容易造成 化合物的各有不同消化率。  以往两年来,转印腔体的设计方案拥有很多的变化,以提升 轴向对称(图2A)。举例来说,电容传感器藕合电浆(CCP)转印腔体的关键硬体主要参数,是负极与阳极氧化中间的空隙。

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传统式至今,此空隙的设计方案是用于为特殊的输出功率、工作压力、及其汽体有机化学化合物获得最分布均匀的转印結果。在电感式传感器藕合电浆(ICP)转印腔体中,汽体流过的方向是一项最重要的设计方案特点,并且不容易依工艺而各有不同。在铝转印腔体中,生成物汽体是指晶圆上边的浴头送到的。对于矽晶转印,生成物汽体是指晶圆周边流过的,但之后演化为汽体是指晶圆的中间上边流过。

  图2 工艺的不均匀度可分为轴向及其非轴向(A)。在一张说明总体不均匀度的晶圆图上,若除去轴向对称,可找寻更为艰辛的非轴向不均匀度(B)。


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